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Carbon rehybridization at the graphene/SiC(0001) interface: Effect on stability and atomic-scale corrugation

机译:石墨烯/ siC(0001)界面的碳再杂化:对石墨烯的影响   稳定性和原子级波纹

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摘要

We address the energetic stability of the graphene/SiC(0001) interface andthe associated binding mechanism by studying a series of low-straincommensurate interface structures within a density functional scheme. Among thestructures with negligible strain, the 6\surd3\times6\surd3 R30{\deg} SiCperiodicity shows the lowest interface energy, providing a rationale for itsfrequent experimental observation. The interface stability is driven by theenhanced local reactivity of the substrate-bonded graphene atoms undergoingsp2-to-sp3 rehybridization (pyramidalization). By this mechanism, relaxedstructures of higher stability exhibit more pronounced graphene corrugations atthe atomic scale.
机译:我们通过研究密度函数方案内的一系列低应变相称界面结构来解决石墨烯/ SiC(0001)界面的能量稳定性以及相关的结合机理。在应变可忽略不计的结构中,6 \ surd3 \ times6 \ surd3 R30 {\ deg} SiC周期显示最低的界面能,为其频繁的实验观察提供了理论依据。界面稳定性受经历sp2-sp3杂化(金字塔化)作用的底物键合石墨烯原子增强的局部反应性驱动。通过这种机理,高稳定性的松弛结构在原子尺度上表现出更明显的石墨烯波纹。

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